1. Секція "Фізичне матеріалознавство та фізика міцності"
Постійне посилання на фондhttps://archive.ipms.kyiv.ua/handle/123456789/6
Переглянути
1 результатів
Результати пошуку
Документ Першопринципні методи розрахунку фізичних характеристик тугоплавких бінарних евтектичних композитів.(Дільниця оперативної поліграфії Інституту проблем матеріалознавства Ім. І.М. Францевича НАН України 03680, м. Київ -142, вул. Кржижановського,, 2018-05-21) Закарян Д.А.; Zakaryan D.A.Закарян Д.А. Першопринципні методи розрахунку фізичних характеристик тугоплавких бінарних евтектичних композитів. - Рукопис. Дисертація на здобуття наукового ступеня доктора фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.07 - фізика твердого тіла. - Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України, Київ 2018. Розроблено метод для обчислення фізичних характеристик при одновісних деформаціях тугоплавких кристалів, що мають щільноупаковані атомні площини, а також модель, за допомогою якої можливо оцінити поверхневу енергію наночастинки. На основі створених методів і моделей оцінена міцність нанокристалів в залежності від розмірного фактора і форми. За допомогою квантово-механічних методів (метод псевдопотенціалу) побудований термодинамічний потенціал бінарних систем. Характерні параметри евтектики (концентрація і температура) обчислені за допомогою системи рівнянь, які отримані з умови екстремуму термодинамічного потенціалу. За допомогою побудованого методу «квазігармонійного наближення» були досліджені температурні залежності деяких фізичних характеристик боридів і композитів на їх основі. Виявлено, що для лінійного коефіцієнта термічного розширення LaB6 характерна стрибкоподібна зміна при високих температурах, що пов'язано з енергетичним станом комплексу B6. Розроблено метод для врахування міжкомпонентної взаємодії в композитах, оцінена її роль при утворенні евтектики, досліджені міцнісні характеристики бінарних композитів при високих температурах. Показано, що міжкомпонентна взаємодія утворюється за допомогою загальних атомів, які належать обом компонентам або загальними кристалічними вузлами (заселеними різними атомами, що належать двом компонентам) по лінії стикування двох структур.