Автореферати (відділ 44)
Постійне посилання зібранняhttps://archive.ipms.kyiv.ua/handle/123456789/28
Переглянути
3 результатів
Результати пошуку
Документ Першопринципні методи розрахунку фізичних характеристик тугоплавких бінарних евтектичних композитів.(Дільниця оперативної поліграфії Інституту проблем матеріалознавства Ім. І.М. Францевича НАН України 03680, м. Київ -142, вул. Кржижановського,, 2018-05-21) Закарян Д.А.; Zakaryan D.A.Закарян Д.А. Першопринципні методи розрахунку фізичних характеристик тугоплавких бінарних евтектичних композитів. - Рукопис. Дисертація на здобуття наукового ступеня доктора фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.07 - фізика твердого тіла. - Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України, Київ 2018. Розроблено метод для обчислення фізичних характеристик при одновісних деформаціях тугоплавких кристалів, що мають щільноупаковані атомні площини, а також модель, за допомогою якої можливо оцінити поверхневу енергію наночастинки. На основі створених методів і моделей оцінена міцність нанокристалів в залежності від розмірного фактора і форми. За допомогою квантово-механічних методів (метод псевдопотенціалу) побудований термодинамічний потенціал бінарних систем. Характерні параметри евтектики (концентрація і температура) обчислені за допомогою системи рівнянь, які отримані з умови екстремуму термодинамічного потенціалу. За допомогою побудованого методу «квазігармонійного наближення» були досліджені температурні залежності деяких фізичних характеристик боридів і композитів на їх основі. Виявлено, що для лінійного коефіцієнта термічного розширення LaB6 характерна стрибкоподібна зміна при високих температурах, що пов'язано з енергетичним станом комплексу B6. Розроблено метод для врахування міжкомпонентної взаємодії в композитах, оцінена її роль при утворенні евтектики, досліджені міцнісні характеристики бінарних композитів при високих температурах. Показано, що міжкомпонентна взаємодія утворюється за допомогою загальних атомів, які належать обом компонентам або загальними кристалічними вузлами (заселеними різними атомами, що належать двом компонентам) по лінії стикування двох структур.Документ Використання методу регуляризації для визначення характеристик субструктури кристалічних матеріалів за формою дифракційних кривих.(Інститут проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича Національної академії наук України, 2019-11-13) Роженко Н.М.; Rozhenko N. M.Роженко Н.М. Використання методу регуляризації для визначення характеристик субструктури кристалічних матеріалів за формою дифракційних кривих. – Рукопис. Дисертація на здобуття вченого ступеня кандидата фізико-математичних наук (доктора філософії) за спеціальністю 01.04.07 – фізика твердого тіла – Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України, Київ, 2019. Дисертаційна робота присвячена розробці методики дослідження дефектного стану кристалічних матеріалів, що базується на цифровій обробці їхніх XRD-дифрактограм, рівнозначній заміні на обладнання з більш високою (порівнянною з кроком дифракції) роздільною здатністю. Ефект підвищення роздільної здатності досягається усуненням інструментального уширення методом регуляризації Тихонова і переходом від зафіксованих експериментальних дифракційних ліній до фізичних кривих розглядуваних об’єктів. Розроблена методика включає процедуру розділення ефектів дифракції на ОКР та кристалічній ґратці з мікродеформаціями, яка узагальнює методи моментів та Холла–Вільямсона, вільна від апріорних припущень щодо закону розподілу мікродеформацій, враховує форму враховує форму фізичних дифракційних ліній та характер функції розмиття на областях когерентного розсіяння і дозволяє визначати функцію щільності розподілу мікродеформацій. За допомогою представленої методики проведено дослідження дефектного стану порошків W, WC і Fe після розмелу різної тривалості, визначено такі характеристики тонкої структури, як середні значення мікродеформацій і розмірів ОКР, їхню залежність від тривалості розмелу, а також закони розподілу мікродеформацій у порошках W та WC.Документ Нові кількісні методи визначення структури матеріа лів у електронній мікроскопії.(Інститут проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича Національної академії наук України, 2021-09-20) Красікова І.Є.; Krasikova I.E.Красікова І.Є. Нові кількісні методи визначення структури матеріа лів у електронній мікроскопії. — Рукопис. Дисертація на здобуття вченого ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.07 — фізика твердого тіла — Інститут проблем ма теріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України, Київ, 2021. Дисертаційна робота присвячена розробці методики математично визна ченої кількісної характеризації структури матеріала за його електронно мікроскопічним зображенням. У роботі виконана адаптація математичної моделі мультифрактального формалізму для визначення кількісних характеристик зображень структури ма теріалів, і на її основі розроблено відповідне програмне забезпечення, яке дає стійкі результати їх обчислень. Висока продуктивність розробленого програм ного забезпечення допускає принципову можливість включення її до існуючих програмних пакетів обробки електронно-мікроскопічних зображень в режимі реального часу, в тому числі до програмного забезпечення, яке вбудовано в еле ктронні мікроскопи. За допомогою представленої методики з метою верифікації моделей і роз робленого програмного забезпечення проведено дослідження отриманих муль тифрактальних і фізичних характеристик гарячепресованих композитів AlB12– AlN, яке дозволяє зробити важливий висновок про те, що з фізичними характе ристиками можуть бути пов'язані не тільки мультифрактальнi характеристики зображень структури фаз, але і мультифрактальнi характеристики виділених на них систем границь (границь зерен, границь фаз — в залежності від досліджу ваного матеріалу). Отримано результати розрахунків фрактальних характерис тик плівок хрому, осаджених в аргоні при зміні температури осадження та в залежності від доданків кисню. Показана наявність кореляції фрактальної роз мірності та фізичних характеристик плівок хрому — твердістю H та наведеним модулем пружності 2 (1 ) E E r = −ν . Досить високий ступінь кореляції спостері гається як при обчисленнях фрактальної розмірності площини фотографій, так і для систем виділених границь.